2Т935А, транзистор биполярный, Россия | купить в розницу и оптом

Описание

транзисторы биполярные отечественные2Т935А Транзисторы 2Т935А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах. Транзисторы 2Т935А выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Вывод эмиттера маркируется точкой. Тип корпуса: КТ-10. Транзистор 2Т935А-5 выпускаются в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г. Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.006ТУ. Зарубежный аналог: 1748-1820, 1748-1620 (Space Power), SDT44333. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т935А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 51 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 30 мА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 800 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,066 Ом