SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3], VBsemi | купить в розницу и оптом

Описание

SI2300DS-T1-GE3-VB, Структура N-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6, Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.028 Ом/5А, 4.5В, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.1, Крутизна характеристики, S 24, Корпус SOT-23-3, Электронные компоненты/Транзисторы/Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)